HJ1200-080 СиК МОП‑транзистор
HJ1200‑080Sic MOSFET — это мощный полупроводниковый прибор, выполненный по технологии SiC. SiC является передовым полупроводниковым материалом; он обладает твёрдостью, сопоставимой с алмазом, и шириной запрещённой зоны, в несколько раз превышающей таковую у кремния. Скорость переноса носителей заряда, напряжение пробоя, теплопроводность и стойкость к высоким температурам значительно превосходят соответствующие характеристики традиционного кремниевого материала. NMOS‑транзисторы на основе SiC широко применяются в условиях высоких температур, больших напряжений, высоких частот, больших мощностей, а также в радиационно‑стойких и микроволновых устройствах. В сфере нефтяной разведки они используются преимущественно для привода электродвигателей, в высокотемпературных BUCK‑конверторах постоянного тока, а также в системах высокочастотной генерации. Благодаря чрезвычайно широкой запрещённой зоне прямая крутизна NMOS‑транзистора на основе SiC оказывается ниже, чем у традиционных кремниевых аналогов; поэтому для достижения номинального тока ID требуется более высокое напряжение между затвором и истоком. Кроме того, чтобы обеспечить надёжное отключение MOS‑транзистора при температуре junction Tj ≥ 250 °C и гарантировать достаточный уровень помехоустойчивости низкого уровня входного сигнала при высоких температурах, SiC‑MOS‑транзисторам необходим отрицательный отсечной смещение, что сходно с принципом работы IGBT‑транзисторов. Диапазон надёжного проводящего состояния HJ1200‑080 составляет 18 В ≤ VGS ≤ 25 В, а диапазон надёжного отключающего состояния — −10 В ≤ VGS ≤ −2 В. Прибор выполнен в полностью герметичном металлическом корпусе TO‑258 с теплоотводящим основанием; три вывода и сам корпус (радиатор) изолированы друг от друга, что обеспечивает удобство эксплуатации.
Ключевые слова:
HJ1200-080 СиК МОП‑транзистор
Подробности с изображениями
Особенности продукта:
Малая входная ёмкость позволяет обеспечить высокоскоростное переключение при высоком напряжении (≥1200 В).
Низкое сопротивление включённого состояния (RON ≤ 80 мОм), большой выходной ток (≥ 35 А, при наличии радиатора — бесконечный)
Можно непосредственно подключать параллельно без эффекта защёлкивания.
Высокое напряжение пробоя затвор‑источник, Tj ≥ 200 °C
