HJ540 NMOS‑транзистор
HJ540 — это мощный МОП‑транзистор, изготовленный по передовой технологии; он обладает крайне низким сопротивлением в открытом состоянии (90 мОм) и высокой скоростью переключения. Современная технология производства обеспечивает возможность эксплуатации HJ540 при температуре окружающей среды свыше 200 °C. HJ540 выполнен в полностью герметичном металлическом корпусе TO‑257 на основе керамической подложки с оксидом бериллия; три вывода и корпус (радиатор) изолированы друг от друга, при этом корпус может быть подключён к любому потенциалу. Устройство удобно в использовании и широко применяется в цепях управления реле, дисплеями, датчиками, а также логическими интерфейсами.
Ключевые слова:
HJ540 NMOS‑транзистор
Подробности с изображениями
Особенности продукта:
Напряжение между затвором и истоком ±20 В Рассеиваемая мощность (при TA = +25 °C и достаточном радиаторе) 10 Вт
Рабочий температурный диапазон (TJ) −55…+200 °C Температура хранения −55…+200 °C
Постоянный ток (TA = +25 °C) 28 A Постоянный ток (TA = +100 °C) 20 A
Импульсный ток 110 А Напряжение пробоя сток‑исток BVDS ≥100 В
