HJ198P — высокотемпературный пятипиновый PNP‑транзисторный массив
HJ198P — это интегральная схема, представляющая собой массив из пяти транзисторов PNP на основе кремниевых биполярных транзисторов. Два транзистора соединены между собой внутренними выводами, образуя дифференциальную пару; данное устройство может использоваться как высокопроизводительный дискретный транзистор в общих схемах либо как специализированный транзисторный массив. Благодаря применению особых технологических процессов и тщательно отобранным кристаллам обеспечивается отличное электрическое согласование элементов массива, хорошее термическое согласование и крайне высокая степень изоляции каналов (сопротивление изоляции между каналами превышает 10¹⁰ Ом). Схема выполнена в 14‑выводном керамическом плоском корпусе, допускает рабочий температурный диапазон от −55 до +200 °C и взаимозаменяема с моделями 198HT5, 198HT6, 198HT7 и 198HT8.
Ключевые слова:
HJ198P — высокотемпературный пятипиновый PNP‑транзисторный массив
Подробности с изображениями
Основные особенности следующие:
Однотрубный, выдерживаемое напряжение BVCEO — 50 В
Ток управления однотрубным устройством IEM — 400 мА
Рабочий температурный диапазон: от −55 до +200 °C
Рассеиваемая мощность 600 мВт
Температура хранения: от −55 до +200 °C
Используется плоский керамический корпус F14‑01C
