Изоляционный драйвер HJ393A/B/C для высокотемпературных SiC‑MOSFET/IGBT
HJ393A/B/C — это изолированные драйверы для высокотемпературных SiC‑MOSFET и IGBT, включающие схемы DC/DC‑преобразования, трансформатор, выпрямление и фильтрацию, а также высокоскоростную цифровую изоляцию и гальванически изолированный затворный усилитель; питание осуществляется от одного источника +5 В. Внутри устройства формируются изолированные положительное напряжение питания VCC (+13…+20 В) и отрицательное напряжение питания VEE (−3…−6 В). В зависимости от частоты входного ШИМ‑сигнала устройство разделено на три режима: A, B и C. HJ393A преобразует ШИМ‑сигналы уровня TTL/CMOS с частотой до 800 кГц и коэффициентом заполнения от 0 до 100% в изолированные управляющие сигналы с питанием от VCC до VEE; HJ393B преобразует ШИМ‑сигналы уровня TTL/CMOS с частотой до 800 кГц и коэффициентом заполнения от 0 до 100% в изолированные управляющие сигналы с питанием от VCC до VEE; HJ393C преобразует ШИМ‑сигналы уровня TTL/CMOS с частотой до 1 МГц и коэффициентом заполнения от 0 до 100% в изолированные управляющие сигналы с питанием от VCC до VEE. Благодаря чрезвычайно широкой запрещённой зоне прямая крутизна NMOS‑транзисторов, выполненных из карбида кремния, ниже, чем у традиционных Si‑транзисторов; поэтому для достижения номинального тока ID требуется более высокое напряжение между затвором и истоком. Кроме того, чтобы обеспечить надёжное отключение MOS‑транзистора при температуре junction Tj ≥ 250 °C и уменьшить эффект Миллера в SiC‑MOSFET, а также повысить помехоустойчивость низкого логического уровня входного сигнала при высоких температурах, SiC‑MOSFET необходимо подавать отрицательное обратное смещение для отключения — аналогично IGBT. Данное устройство удовлетворяет требованиям по управлению затвором SiC‑MOSFET и IGBT, гарантируя их надёжное включение и выключение. Максимальный мгновенный пиковый ток управления составляет 4 А; при этом оно обладает высокой степенью изоляции и помехоустойчивости, что обеспечивает надёжную работу схемы даже при высокочастотных ШИМ‑сигналах и высоких напряжениях.
Ключевые слова:
Изоляционный драйвер HJ393A/B/C для высокотемпературных SiC‑MOSFET/IGBT
Подробности с изображениями
Основные особенности следующие:
Встроенный изолированный источник питания DC/DC; для работы системы достаточно подать цифровое напряжение 5 В, при этом обеспечивается изоляция с пиковым значением 1800 В постоянного тока.
Высокая подавляемость перенапряжений в режиме общего режима: CMTI ≥ 50 кВ/мкс; максимальная рабочая температура — до 200 °C.
Обеспечивает изоляцию входных и выходных сигналов при отключении IGBT‑транзисторов и SiC‑MOS‑транзисторов с помощью отрицательного напряжения.
Быстрое время заряда‑разряда, малое время задержки: (tr, tf ≤ 50 нс); диапазон рабочего цикла 0–100%, подходит для высоковольтных и высокомощных переключающих приложений.
Максимальная рабочая частота HJ393A: 500 кГц; HJ393B: 800 кГц; HJ393C: 1 МГц
Транзиентный пиковый ток управления HJ393A: ±9 A; HJ393B: −2,5 A/+5 A; J393C: ±1,5 A
