HJ3CK109 PNP‑тип высокочастотный мощный переключающий транзистор
HJ3CK109 — это кремниевый эпитаксиальный плоскостной высокочастотный мощный переключающий транзистор с p‑n‑p‑структурой, специально разработанный для применения в устройствах большой мощности — в аудиосистемах, приводах позиционирования магнитных головок жёстких дисков и других линейных схемах. Отличается широкой безопасной рабочей областью и высоким значением коэффициента передачи тока постоянного тока.
Ключевые слова:
HJ3CK109 PNP‑тип высокочастотный мощный переключающий транзистор
Подробности с изображениями
Основные характеристики
Напряжение коллектор-база VCBO 400 В
Напряжение между коллектором и эмиттером VCEO 250 В
Напряжение эмиттер‑база VEBO 5 В
Постоянный ток коллектора IC 16 A
Пиковое значение тока коллектора 30 А
Постоянный ток базы IB 5 А
Общая мощность потребления 250 Вт
Температура перехода Tj 200℃
Температура хранения Tstg —65…+200 °C
