Компания ON Semiconductor заняла лидирующие позиции на выставке APEC 2016.
Дата публикации:
2016-03-28
Источник:
Отдел маркетинга Отдел технической поддержки
Автор:
Сяо Вэй
В современных электронных устройствах операционный усилитель является неотъемлемым компонентом. Особенно при проектировании схем на отечественных операционных усилителях выбор подходящих компонентов и оптимизация структуры схемы становятся ключевыми задачами для многих инженеров. Сегодня мы подробно рассмотрим основные принципы и методы проектирования схем с отечественными операционными усилителями, чтобы помочь вам повысить уровень проектирования таких схем. 1. Понимание базовых характеристик операционного усилителя Прежде всего, при разработке схем на отечественных операционных усилителях крайне важно хорошо знать их характеристики. Основными параметрами операционного усилителя являются коэффициент усиления, входное и выходное сопротивление. Коэффициент усиления определяет способность усиливать сигнал, входное сопротивление влияет на взаимодействие с источником сигнала, а выходное сопротивление — на качество передачи сигнала. Только после глубокого понимания этих базовых характеристик можно эффективно приступать к проектированию схем. 2. Выбор подходящего отечественного операционного усилителя На рынке сегодня представлено множество отечественных операционных усилителей, однако далеко не каждый из них подходит для вашего проекта. При выборе необходимо учитывать несколько ключевых факторов: полосу пропускания, энергопотребление, диапазон рабочих температур и стоимость. Например, если ваш проект предполагает обработку высокочастотных сигналов, то первостепенным критерием станет полоса пропускания. Напротив, для проектов с требованиями к низкому энергопотреблению следует отдавать предпочтение усилителям с минимальным потреблением энергии.
Компания ON Semiconductor, продвигающая инновации в области высокой энергоэффективности, объявила об участии в выставке APEC 2016 — одном из ведущих мероприятий мировой отрасли силовой электроники.
В ходе конференции семь ведущих специалистов по прикладной инженерии и исследованиям и разработкам компании ON Semiconductor поделятся важнейшими знаниями на серии профессиональных образовательных семинаров и отраслевых конференций. Программа охватит широкий круг актуальных для современного инженерного сообщества тем, включая проектные сложности быстродействующих аналитических методов, модели малосигнальных цепей, вопросы нелинейной теплопередачи, управление питанием следующего поколения для литий‑ионных аккумуляторов, высокомощные и высоковольтные IGBT‑устройства, а также другие инновации в области повышения энергоэффективности.
В то же время инженеры смогут на стенде компании ON Semiconductor увидеть демонстрации более десяти передовых технологий — в том числе и некоторые проекты, представленные впервые. Среди ключевых демонстраций:
Высокочастотный контроллер с квазерезонным обратным преобразованием
Высокочастотный резонансный обратный преобразователь — это следующее поколение решений для компактных адаптеров питания для компьютеров и бытовой электроники. Благодаря использованию компонентов небольшого размера он обеспечивает высокую энергоэффективность и, соответственно, высокую плотность мощности. NCP1339 и NCP1340 — это контроллеры последнего поколения для высокочастотных резонансных обратных преобразователей. Синхронное выпрямление также является ключевым элементом повышения энергоэффективности; новый NCP43080 оснащён мощным драйвером на 8 А/4 А, что позволяет добиться высокой эффективности как при полной, так и при холостой нагрузке. В сочетании эти два устройства позволяют создавать самые компактные сверхвысокоплотные AC‑DC‑адаптеры для современного рынка.
Зарядное устройство мощностью 20 Вт для смартфонов и планшетов, поддерживающее технологию быстрой зарядки Qualcomm Quick Charge 3.0 и разъём Type‑C.
Референс‑дизайн NCP4371 демонстрирует новый протокол быстрой зарядки Qualcomm QC 3.0, реализованный через новый разъём Type‑C. Он использует специализированный высоковольтный порт зарядки Qualcomm (HVDCP) и обеспечивает регулируемое выходное напряжение от 3,6 до 20 В постоянного тока, что делает его подходящим для смартфонов, планшетов и устройств с поддержкой Bluetooth последнего поколения. В конструкции этого зарядного устройства применены контроллер быстрой зарядки NCP4371, контроллер квазирезонансной работы NCP1361E и контроллер синхронного выпрямления NCP43080; это один из всего двух проектов, прошедших сертификацию UL и Qualcomm и соответствующих недавно опубликованному стандарту.
Камеры видеонаблюдения оснащены сверхкомпактными драйверами микродвигателей.
LV8714TA — это высокоэффективный драйвер двухшагового электродвигателя. Устройство оснащено силовыми МОП‑транзисторами с низким сопротивлением в открытом состоянии, беспотерной системой измерения тока, синхронным выпрямлением и сверхнизким током в режиме ожидания, что обеспечивает одно из лучших в своём классе решений для повышения энергоэффективности. Встроенный стабилизатор напряжения позволяет реализовать однокристальное решение с единым источником питания.
Среди прочих интересных демонстраций новых технологий — модули интегрированного управления мощностью, высокоамперные драйверы затворов IGBT, IGBT нового поколения (с ультра‑полевым отсечным типом), драйверы светодиодов, контроллеры ШИМ, контроллеры электродвигателей и вентиляторы.
Ключевые слова:
Лидирующее положение, высокая энергия, контроллер, применение, привод, проектирование, резонанс, зарядка, обеспечение, включая
Предыдущая страница
Следующая страница
Популярные новости
Онлайн-сообщение
*Примечание: Пожалуйста, указывайте информацию точно и обеспечьте доступность связи — мы свяжемся с вами в кратчайшие сроки.
Заявка на образец / описание продукта / контактные данные:
Господин Цзя:13022932841(Вичат)
Стационарный телефон:029-89259995Перевести 833
Техническая поддержка / Контактная информация:
Господин Чжао:13572473285
Стационарный телефон:029-89259995Перевести 803
Госпожа Сюй:18729396827
Стационарный телефон компании:029-89259995
Факс: 029-89259996
Китай, провинция Шэньси, город Сиань, район Чанъань, космическая база «Ханьтянь», улица Ханьтянь‑Чжунлу, научно‑технологический парк «Бэйхан», здание № 6, четвёртый блок
